——TI首次涉足功率器件领域，凭什么？

                       拍案惊奇，TI也做功率器件了

拿着TI的媒体说明会邀请函，我使劲眨了几下眼睛，几乎不相信这是真的，但上面明明写着“TI新推出的功率MOSFET系列器件……”。你要是说Fairchild、英飞凌、IR、安森美、Vishay什么的发出这封邀请，倒也不奇怪。

的确，TI一直都在推DC/DC转换器，但此DC/DC非彼DC/DC，明眼人一看，就知道TI产品都是功率管理IC阵营的，电流最多就几百毫安，但Fairchild等做的低压分立器件，电流几十安。

MOSFET已经做了十几年了，市场分割已趋成熟。TI为何要涉足此领域，因此，2010年1月20日，我也好奇地来赴此次会议。

                       TI龙卷风：DualCool NexFET PK 沟槽架构好在哪儿？

我首先看到了新闻资料，2009年2月17日，TI收购CICLON半导体公司。CICLON谐音Cyclone（龙卷风），其意不言自明。再一看，果然有专利的名为NexFET（我猜是next MOSFET的含义）的MOSFET，可通过大幅减少栅极电荷提供性能和优化尺寸，而不同于通常采用的沟槽技术。

TI称NexFET堪比上世纪90年代兴起的沟槽构造（图1）。我猜TI指的是Fairchild等公司的Trench，但Fairchild现在已经推出SupreMOS(图2)——一种专利的深沟槽技术，其他公司也有各种专利，TI却在此没有陈述。


图1 TI的NexFET构造

不仅如此，TI在消化CICLON近1年后，又添油加醋，开发了专利的DualCool NexFET。我们知道英飞凌有个著名的CoolMOS，我估摸着DualCool是冲着英飞凌来的，Dual（双）的含义是增加了顶端散热，TI的官话是：使功率转换产生的热量能通过对流冷却从顶端散出（图2）。


图2 DualCool的顶端散热

TI这次推出了五款产品，新闻点主要是：在标准尺寸下将散热效率提升80%，允许电流提高50%。但是请注意，正如图1所示，“标准”MOSFET平面构造是上世纪80年代的典范，21世纪了，技术也该升级了吧。

而且，一般公司喜欢拿出和竞争对手的性能指标曲线来比较，TI此次还没来得及给大家展示。

                         TI为何对功率器件拍案？

TI非等闲之辈。他想进入这个领域，可能也不是贪图小利，更不是为了财务报表美观那点虚荣。据TI中国区电源产品业务拓展工程师—吴涛介绍(图3)，TI想涉足电源分立器件领域，进而在电源领域的份量更重。吴涛说，TI目前的电源功率器件IC领域只能为TI带来TAM（整个累积市场）1.50美元的价值，进入低压FET领域，可以达到TAM 4.50美元。请注意，这数字精确到0.01美元，可见TI在乎这块市场。


图3 TI在电源器件市场的位置

因此，可以相信，此次MOSFET拍案惊奇，是TI向整个电源市场迈出的战略一大步！


照片：TI中国区电源产品业务拓展工程师—吴涛


图4 五款产品

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